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遊雅堂 登録方法
中国友燕科技集団有限公司 (旧北京非鉄金属遊雅堂 登録方法所),中国友燕と呼ばれる) は 1952 年に設立されました,中国の非鉄金属産業における強力な総合力を備えた遊雅堂 登録方法開発およびハイテク産業育成機関です,国有資産監督管理委員会が直接管理する中央企業です。総資産は110億元を超える,2 つのアカデミーの 4 人の学者を含む従業員がいる 4,100 人以上。本社は北京の北三環路にあります,北京市昌平区-順義区-懐柔区内、河北延礁-廊坊-雄安、山東省徳州-青島-威海-楽嶺、合肥、安徽省、福建省アモイ、上海、四川省楽山市、重慶...

私の国は 1978 年に大学院入学制度を再開しました,私たちの学校は大学院生ワーキンググループを設立しました,修士課程学生の募集を開始。1981 年に博士課程学生の募集を開始。北京非鉄金属遊雅堂 登録方法所の大学院部門は 1985 年に設立されました。

現在、第一レベルの博士号は 2 名です、修士号認定分野: 材料科学および工学、冶金工学,分析化学ともいう、鉱物加工工学における 2 つの修士号認定ポイント,材料科学と工学と、冶金工学におけるポスドク遊雅堂 登録方法用移動局 2 台,そして多くの企業と共同でポスドクワークステーションを設立。

詳細ページ

ハオ レイ 遊雅堂 登録方法

講師の名前

ハオ レイ

性別

男性

生年月日

1980 年 12 月

部屋

国立非鉄金属新エネルギー材料製品工学技術遊雅堂 登録方法センター

遊雅堂 登録方法タイトル

上級エンジニア

入学専攻

材料遊雅堂 登録方法と工学

連絡先番号

15801477231

電子メール

haolei@grinm.com

遊雅堂 登録方法の方向性

1. 機能性フィルムおよびコーティングに関する遊雅堂 登録方法

2. 水素製造とガス精製のための主要な材料と技術の遊雅堂 登録方法

3. 燃料電池水素源システム統合技術の遊雅堂 登録方法

個人プロフィール

2008 年に北京航空航天大学を卒業,工学博士号を取得。2008 年 7 月に北京非鉄金属遊雅堂 登録方法所に入社,2010 年に上級エンジニアに昇進,2015 年に教授レベルの上級エンジニアに昇進。エネルギー遊雅堂 登録方法所の副所長を務めた(2016年).12~2019.7)、新エネルギー事業部長(2019年).7~),現在、有限会社友燕工程技術遊雅堂 登録方法所副所長、新エネルギー事業部長、国立非鉄金属新エネルギー材料・製品工学技術遊雅堂 登録方法センター副所長。

遊雅堂 登録方法理事を兼任、遊雅堂 登録方法水素エネルギー専門委員会事務局長、遊雅堂 登録方法青年作業委員会のメンバー、中国レアアース協会理事、中国非鉄金属協会青年作業委員会のメンバー、国家太陽エネルギー標準化技術委員会のメンバー。

燃料電池水素源システムの完成を担当し、主宰する、ガス精製装置、太陽熱集熱器の産業化のための主要材料と主要技術の遊雅堂 登録方法、デモのアプリケーションとマーケティング,科学技術省を担当し、主宰する“863”、技術サポート、科学技術省の主要プロジェクト、中国国立自然科学財団、北京科学技術計画、軍需品を含む 30 アイテム以上,中国非鉄金属産業科学技術賞の二等賞を1回受賞、1 中国材料遊雅堂 登録方法協会科学技術賞一等賞,国の建国を主宰し、建国に参加する、業界標準 6 項目,再生可能エネルギー & 持続可能なエネルギーのレビュー、ACS アプライド マテリアルズ & インターフェース、太陽エネルギー材料、太陽電池、応用表面科学など、国内外の重要な新エネルギーおよび材料専門誌に 100 以上の学術論文を発表;80 を超える国内発明特許が認可されています。2011 年に北京科学技術ライジング スター プログラムに選出,2013 年の第 3 回セッションに選出“西城区の若者と中年の専門的および技術的バックボーン”。

代表的な論文:

[1] 徐克, ドゥ・ミャオ, ハオ・レイ*, 他. 太陽熱用途のための高温選択吸収遊雅堂 登録方法のレビュー[J]. マテリオミクス誌, 2020, 6(1):167-182.

[2] 張柯, ハオ・レイ*, ドゥ・ミャオ, 他. 日射吸収体遊雅堂 登録方法の熱安定性と高温誘発老化メカニズムに関する概説[J]. 再生可能 & 持続可能なエネルギーのレビュー, 2017, 67:1282-1299.

[3] 張柯, ドゥ・ミャオ, ハオ・レイ*, 他. さまざまな太陽光選択吸収コーティングの熱安定性試験と老化メカニズムの遊雅堂 登録方法[J]. 表面 & コーティング技術, 2016:S0257897216308568.

[4] 張柯 , ドゥ・ミャオ , ハオ・レイ*, 他. 高耐食性のサンドイッチ状Si3N4/Cr-CrNx/Si3N4 太陽光選択吸収用途に使用される遊雅堂 登録方法[J]. ACS アプライド マテリアルズ & インターフェース, 2016, 8(49):34008.

[5] ドゥ・ミャオ、ハオ・レイ*, 他. Tiの最適化設計0.5アル0.5N/遊雅堂 登録方法0.25アル0.75太陽光選択用途に使用される N/AlN 遊雅堂 登録方法[J]. 太陽エネルギー材料と太陽電池 95 (2011) 1193-1196